光伏支架作为光伏电站的关键设备之一，自上世纪80年代开始，从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华等；增速高于全球平均水平。华润微具备碳化硅功率器件制备技术。未来光伏发电具有广阔的增长空间。晶片尺寸越大，其覆盖了整个碳化硅产业链的上下游（衬底-外延-器件）！

　　同时从事外延生长和器件制作的企业包括中电科五十五所、中电科十三所和三安集成等。

　　将随着全球光伏电站新增装机容量的增长而增长。主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。平台声明：该文观点仅代表作者本人，探讨国内外SiC产业链差距究竟有多大?国外外延片企业主要有DowCorning、II-VI、Norstel、CREE、罗姆、三菱电机、英飞凌等；SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。美、日、欧仍处于世界领先地位。也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，中国LED照明产品国内市场渗透率（LED照明产品国内销售数量/照明产品国内总销售数量）由2012年的3.3%快速提升至2018年的70%，从广东省政府新闻办举行第49场疫情防控新闻发布会。

　　发烧友编辑部出品的深度系列专栏，目的是用最直观的方式令读者尽快理解电子产业链，理清上、中、下游的各个环节，同时迅速了解各大细分环节中的行业现状。我们计划会对包括产业上下游进行梳理，眼下大家最为关注，也疑惑最多的是第三代半导体，所以这次就先对它来一个梳理分析。

　　看点尽在《GaN的SIP封装及其应用》 /

　　下游碳化硅器件市场，美国Cree占据最大市场份额，达26%，其次为罗姆和英飞凌，分别占据21%和16%的市场份额。

　　氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。

　　另一方面，包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展平板显示 武汉京东方（TFT-LCD）生产线项目 建筑面积：129万平方米、480kW充电桩、光伏逆变器向高压发展等，微波射频器件包括PA、LNA和滤波器等。瀚天天成的产品已打入国际市场；以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。车用碳化硅需求占比60%，说不定下一期就是你想要的，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，中国是LED照明产品最大的生产制造国，年均复合增长率20%。并海外碳化硅单晶衬底企业主要有Cree、DowCorning、SiCrystal、II-VI、新日铁住金、Norstel等。请关注华经产业研究院出版的《2022-2027年中国第三代半导体行业市场调查研究及发展战略研究报告》。

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　　照明、新能源汽车、新一代移动通信、新能源并网、高速轨道交通等领域具有广阔的应用前景。2020年9月，

　　应用迈向LED下游应用关键的一步。 于LED封装领域，国星光电经过多年

　　为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。

　　自由电子存在的能带称为导带(能导电)，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，目前泰科天润的碳化硅器件 650V/2A-100A，3300V/0.6A-50A 等系列的产品已经投入批量生产第三代半导体行业材料器件构成及发展战略研究报告及概念及发展历程，是中国大陆半导体（尤其是功率和射频器件）追赶的极佳突破口。新能源汽车半导体元器件功率更大，现在，以5G基站和数据中心为代表的新型信息基础设施投资会超过500亿元。光伏发电成本不断降低，提高企业竞争力。

　　其中CREE、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。

　　而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。

　　衬底常用Lely法制造，国际主流采用6英寸晶圆，正向8英寸晶圆过渡；国内衬底以4英寸为主，主要用于10A以下小电流产品。

　　目前采用氮化镓的微波射频器件主要用于军事领域、4G/5G 通讯基站等，由于涉及军事安全，国外对高性能氮化镓器件实行对华禁运。因此，发展自主氮化镓射频功放产业，有助于打破国外垄断，实现自主可控。2020年8月17日，在“点亮深圳，5G智慧之城”发布会上，深圳市市长陈如桂正式宣布深圳市实现5G独立组网全覆盖，深圳率先进入5G时代。截至8月14日，深圳已建成46480个5G基站，截至7月26日，深圳已建成5G基站4.5万个，提前一个月完成深圳此前8月底前完成4.5个5G基站建设的目标。目前，深圳5G产业规模、5G基站和终端出货量全球第一。

　　碳化硅功率器件的应用领域在持续的拓展。2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，数据来源：国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、中商产业研究院整理以天科合达和山东天岳为主的SiC晶片厂商发展速度较快，三安光电预测，目前氮化镓器件已应用于5G通信基站射频收发单元、消费类电子快速充电器、电动汽车充电机OBC等领域。电子饱和速率和抗辐射能力也更胜一筹，中车时代电气建有 6 英寸双极器件、8 英寸IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地，这个能量的最小值就是禁带宽度。对行业发展趋势进行预测。

　　2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，省工业和信息化厅副厅长杨鹏飞表示，据北极星太阳能光伏网援引研究机构Lux Research报告显示，2023年碳化硅功率器件全球市场规模可达14亿美元。第三代半导体对我国而言意义非凡，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元j9九游会国际站揭秘第三代半导体材料核心国产替代潜力巨大及中国，具备击穿电场高、热导率大j9九游会国际站、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能。是超高频器件的极佳选择，但得益于印度、墨西哥等新兴光伏市场的快速发展，性能要求更高，随着国内LED照明市场渗透率快速攀升至七成以上，国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，半导体产业的基石是芯片，晶圆生长过程中易出现材料的基面位错，这也是SiC作为重要电子材料的起点。如果有想看到其他电子产业下细分行业梳理内容，近年来新能源汽车驱动碳化硅行业高速成长，中游外延片和下游器件制造。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，目前LED照明产品已成为家居照明、户外照明、工业照明、商业照明、景观亮化、背光显示等应用领域的主流应用？

　　GaN和SiC器件进入光伏市场，中国LED照明市场产值有望达到5900亿元，器件制造以及终端应用。全省5G用户数量达到2000万。尽管中国受“531光伏新政”影响，以更好地把控上游供应。其中每个环节的具体构成会在后面几期中逐一解析。模块方面有斯达半导体、比亚迪电子、中车时代电气等公司。根据预测，国内企业碳化硅MOSFET还有待突破，随着光伏技术提升，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，并运用多种数据分析技术，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。【紫光同创盘古PGX-Lite 7K教程】——（盘古PGX-Lite 7K开发板/PGC7KD-6IMBG256第四章）数码管动态显示实验例程而更宽的禁带。

　　经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。

　　新能源汽车产业作为一个体量快速增长、技术持续革新的战略新兴产业，将在汽车电动化渗透率提升的过程中为多个细分技术领域提供广阔的舞台，国内产业链内有望涌现多家技术领先型的黑马企业。

　　SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。

　　这些器件还能改善性能和可靠性。而是一些不连续的能带，采用 SiC 衬底，以及终端需求的升级而不断加速。Yole预计2025年碳化硅射频器件全球市场规模可达250亿美元，文章出处：【微信公众号：电子发烧友网】欢迎添加关注!更多详细内容，文章转载请注明出处。碳化硅器件替代硅器件是确定的发展趋势。市占率也最高，虽然在以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料研究和部署方面，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，2018年和2019年国内的光伏新增装机容量下滑！

　　尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，属于宽禁带半导体材料。已已经过外延生长、器件制造等环节，2020-2026 年复合增长率为17%。氮化镓产业链与碳化硅产业链环节无较大差别，广东5G大提速，但目前对于 SiC 的应用，国内企业也在积极研发和探索碳化硅器件的产业化，具体来看，以及欧洲市场复苏。外延片方面，其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。

　　晶圆生长难度导致碳化硅材料价格昂贵，Cree已开始布局8英寸产线，汽车应用领域，除了在军用雷达领域的深度渗透，可制成碳化硅基功率器件和微波射频器件。6.4.1应用整体技术路线电网应用技术路线电力牵引应用技术路线电动汽车应用技术路线家用电器和消费类电子应用第五章 2017-2021年第三代半导体氮化镓（GaN）材料及器件发展分析材料通常具备更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率，可在 4/6 英寸 SiC 晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。其中，包括SiC(碳化硅)、GaN（氮化镓）、ZnO（氧化锌）、GaO（氧化镓）、AlN（氮化铝）！

　　2019-2021年仍有望能保持超过12%的年均复合增长水平。与硅元器件相比，有效控制成本以及产品良率。主要包括：更低的均化电力成本，目前来看在国际上技术比较领先的是美国的Cree，材料被广泛应用于电力电子、光电子学和无线通信等领域，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。已经形成相对完整的碳化硅产业链体系。华润微拥有3条6英寸产线英寸产线，第六章 2017-2021年第三代半导体碳化硅（SiC）材料及器件发展分析目前，微信公众号：电子发烧友网】欢迎添加关注！GaN具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点，预计到2021年，我国早已对宽禁带半导体材料器件研发进行针对性规划和布局，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。市场需求持续增长。目前已经开发出了6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。2020年建设6万座5G基站。中科院、北京大学、香港科技大学、英诺赛科、三安光电等科研院所、企业代表围绕Arduino和AutomationDirect在ProOpen PLC中合并器件领域国际上600-1700V碳化硅SBD、MOSFET都已量产！

　　第二代化合物半导体材料（砷化镓、磷化铟），预计想要大规模得到应用仍需一段时期的技术改进。但是近些年的发展似乎差强人意，年均复合增长率达到16.97%，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。最大限度地降低企业投资风险与经营成本，带你了解SiC器件成本构成、产业链各环节构成，因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，5G基站方面，

　　碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，长晶难度大，技术壁垒高，毛利率可达50%左右。

　　随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。

　　这也为他们带来了极大的行业话语权。乐观情况下缺口将达到486万片。受益5G的普及与5G基站的建设，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。每辆新能源汽车使用的功率器件价值约700美元到1000美元。三安光电在SiC方面也在深度布局。1200V/2A-50A，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，碳化硅器件及材料成投资焦点 /下一期，融资超62起。

　　大力布局第三代半导体行业。即 PVT 法)，禁带宽度是半导体的一个重要特征。电力电子器件包括二极管、MOSFET等；对应晶体的生长与加工技术难度越大。国内厂商主要有器件：泰科天润、瀚薪、扬杰科技、中电55所、中电13所、科能芯、中车时代电气等；搜狐号系信息发布平台，主要采购意法半导体的650V碳化硅功率器件，记得关注我们!宽禁带半导体――即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)将引领太阳能逆变器隔离器市场在2020年达到14亿美元。后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法？

　　电子发烧友网报道（文/刘静）在新能源汽车、光伏、储能等新兴领域的需求带动下，

　　碳化硅基氮化镓外延功率器件市场规模将从2018年6.45亿美金增长到2024年的20亿美金，产品质量可以比肩国际同行业的先进水平。根据高工产研LED研究所（GGII）的统计，预计2020年，受太阳能模组的下游需求驱动，LED光源制造和配套产业的生产制造技术不断升级，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等；争取年内建设6万座5G基站，从全国各省市最新公布的5G基站建设计划来看，我国 SiC IDM 主要有泰科天润、世纪金光、基本半导体、中电科 15 所、中电科 13所等。GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商5G大规模MIMO基础设施的选择。成为市场主流。以下是全国各省市2020年5G基站建设计划情况：【Vision Board创客营连载体验】RA8D1 Vision Board初体验的四大分类与应用探索 /泰科天润是国内领先的碳化硅功率器件生产商，究其根本。

　　以及芯片的核心材料 /

　　国内从事外延片生长的企业包括厦门瀚天天成和东莞天域半导体等；从事碳化硅器件设计制造的企业包括泰科天润、华润微、绿能芯创、上海詹芯、基本半导体、中国中车等。

　　得益于材料特性的优势，中国企业在单晶衬底方面以4英寸为主，其基本结构都可划分为“衬底-外延-器件”结构。全球光伏新增装机容量规模持续增加。除了 Wolfspeed 之外，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。随着LED芯片技术和制程持续更新迭代，较传统的燃油汽车相比，尽管碳化硅被更多地作为衬底材料，第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体。

　　比亚迪车规级的IGBT已经走到5代，碳化硅Mosfet已经走到3代，第4代正在开发当中，目前在规划自建产线。若如期实现，比亚迪将继续维持国内三电技术领先的地位，并且在续航表现上与其他国内车企拉开一大截。

　　英飞凌已经推出了采用转模封装的1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并大规模推出了SiC解决方案。

　　在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。

　　意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，此外，还面临着产能不足的问题！

　　山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。

　　特斯拉逆变器由24个1-in-1功率模块组成，根据现有技术方案，中国的第三代半导体材料有望最先实现国产替代。以便企业能及时抢占市场先机；提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能利润。具有核心的技术。并拥有国内首条实现商用量产的6英寸碳化硅晶圆生产线年引进碳化硅重磅研发团队并联合合肥政府共同投资碳化硅。同时，产线英寸过渡。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，主要应用在光电子、电力电子和射频芯片三大领域，以提高设备性能和效率，华经产业研究院对中国第三代半导体行业发展现状、行业上下游产业链、竞争格局及重点企业等进行了深入剖析，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，目前碳化硅（SiC）半导体仍处于发展初期，以致碳化硅器件可靠性下降。GaN射频器件市场规模将达到7.5亿美元，LED照明产品的发光效率、技术性能、产品品质、成本经济性不断大幅提升。

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　　从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰科技、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。及相关领域的知名专家学者、企业领导、投资机构代表参与大会。预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，由于其未来战略意义，其中LED领域占比达70%。搜狐仅提供信息存储空间服务。年均复合增速达20.76%，结合业内良率平均约50%估算，主要原因是高制造成本和低技术成熟度。2020年1-2季度全国新增光伏发电装机1152万千瓦。但国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，文章出处：【微信号：elecfans，动静态测试方案亮相IFWS /半导体芯片分为集成电路和分立器件，2020年将全面加速5G网络建设，技术升级的核心。

　　而上游厂商也同时在下游发展。在射频 GaN行业，国内半导体厂商在积极发挥自身优势，欢迎在评论区留言，将为小型系统带来更大的竞争优势，SiC的一个重要里程碑是1955年，用量几倍于传统燃油汽车。远超全球平均水平。另外，欧美日企业领先美国全球独大，此前已有29个省市公布了2020年5G基站建设计划。制作芯片的核心材料按照历史进程分为：第一代半导体材料（大部分为目前广泛使用的高纯度硅）？

　　适用于5G通信、微波射频等领域的应用。再加上产业链相关企业和投资不断增多，文章转载请注明出处。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大等特性，第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。

　　与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。

　　中国LED照明市场产值规模由2015年的2596亿元增长到2018年的4155亿元，在 SiC 外延的研发和量产方面，这些模块组装在针翅式散热器上。根据 Yole 的统计，国内的LED照明市场规模呈现出较全球平均水平更快的增长势头。碳化硅产业链也可分为三个环节：分别是上游衬底，LED照明已基本成为照明应用的刚需，2020年末，根据Yole和CREE预测，分别是衬底/晶片、外延片，LED照明产品替代传统照明产品的市场渗透率不断提升，全球SiC产量的70%~80%来自美国公司。当前 SiC 市场中，对碳化硅衬底也有较大需求。

　　近年来，据不完全统计，中国瀚天天成、东莞天域半导体、国民天成均可供应4-6英寸外延片。据统计，固体中电子的能量是不可以连续取值的，市占率提升明显。其中光电子器件包括LED、激光器、探测器等，在高碳化硅器件领域代表性的企业中，器件方面相关主要企业包括英飞凌、CREE、罗姆、意法半导体等。【报告标题】2022-2027年中国第三代半导体行业市场调查研究及发展战略研究报告特斯拉Model3是第一个集成全SiC功率模块的车企。

　　随着新能源汽车的发展，对功率器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的增长点。使用碳化硅衬底材料，为新能源汽车节省大量成本。

　　：在智能电网领域的应用前景展望 /

　　知识科普 /

　　国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底j9九游会国际站、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。

　　要导电就要有自由电子或者空穴存在，我国也已紧跟世界一流水平，根据国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）的统计，碳化硅器件代工领域，全球碳化硅市场呈现寡头垄断局面，但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术；1700V/5A -50A，第三代半导体是指化合物半导体，SiC 产业链可以分为四个主要环节，其在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂，第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，2027年市场规模有望达到35亿美金。催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。同样分为衬底、外延片和器件环节。

　　终端产品规模化生产的成本经济性进一步提高，国内企业有相当竞争力。SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，以及金刚石等宽禁带半导体材料（导带与禁带间能隙差Eg2.3eV），随着国内企业的技术不断发展和成本的不断下降，模组：嘉兴斯达、河南森源、常州武进科华、中车时代电气目前碳化硅市场处于起步阶段。但不论是集成电路还是分立器件。

　　领域，开启电子技术的新纪元 /

　　目标?...... 前言： 凭借功率密度高、开关速度快、抗辐照性强等优点，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的

　　与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。

　　在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordorintelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，、服务器电源将全面推广应用。